характеристики, даташит, аналоги
В производстве
Технические параметры
| Тип | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
| Корпус | TO-247 / TO-264 |
| I_C (макс) | 20A — 100A |
| V_CE (макс) | 600V — 1200V |
| V_CE(sat) | 1.5V — 3.5V |
| номенклатурный номер | 1128231481 |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тип | IGBT |
| тип монтажа | SMD |
Аналоги и замены для HGTG921N120H3
В случае недоступности, рекомендуем следующие кросс-референсы:
Похожие компоненты в категории «Транзисторы»
HGT219D2PAK-7
Harris / Intersil
HGT219D2PAK-7 — IGBT транзистор (high voltage) (Harris / Intersil)
HGTG858C60T
Harris / Intersil
HGTG858C60T — IGBT транзистор (high voltage) (Harris / Intersil)
HGTG656TO-247
Harris / Intersil
HGTG656TO-247 — IGBT транзистор (high voltage) (Harris / Intersil)
EOLHGT794P60T
Harris / Intersil
HGT794P60T — IGBT транзистор (high voltage) (Harris / Intersil)
EOLHGTG637C40T
Harris / Intersil
HGTG637C40T — IGBT транзистор (high voltage) (Harris / Intersil)
HGT282P60T
Harris / Intersil
HGT282P60T — IGBT транзистор (high voltage) (Harris / Intersil)
HGTG881TO-247
Harris / Intersil
HGTG881TO-247 — IGBT транзистор (high voltage) (Harris / Intersil)
HGTG401TO-220
Harris / Intersil
HGTG401TO-220 — IGBT транзистор (high voltage) (Harris / Intersil)
Цена и наличие
В производствеЦена по запросу
Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.
Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.
Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС