характеристики, даташит, аналоги
В производстве
Технические параметры
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| V_DS (макс) | 55V — 600V |
| I_D (макс) | 10A — 100A |
| R_DS(on) | 5 мОм — 200 мОм |
| Корпус | TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) |
| V_GS (gate threshold) | 2V — 4V |
| диапазон рабочих частот | до 1 МГц (силовые) |
| макс Uзи Vgs | ±20 В |
| номенклатурный номер | 1158511866 |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тепловое сопротивление Rth J C | 50°C/Вт |
| тип | MOSFET |
| тип монтажа | SMD |
Похожие компоненты в категории «Транзисторы»
BD139-Y8
Infineon
MOSFET транзистор Infineon BD139-Y8
BD140-F2
Infineon
MOSFET транзистор Infineon BD140-F2
FGL207P60T
Infineon
MOSFET транзистор Infineon FGL207P60T
EOLIKD340C60T
Infineon
MOSFET транзистор Infineon IKD340C60T
FDMS30N60SuperSO8
Infineon
MOSFET транзистор Infineon FDMS30N60SuperSO8
EOLHGT920P60T
Infineon
MOSFET транзистор Infineon HGT920P60T
STB530NLFPAK
Infineon
MOSFET транзистор Infineon STB530NLFPAK
2N7002-G1
Infineon
MOSFET транзистор Infineon 2N7002-G1
EOLЦена и наличие
В производствеЦена по запросу
Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.
Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.
Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС