ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

BC847BDW1T3G

Биполярный транзистор (BJT, малосигнальный) · Транзисторы

В производстве (Active)
BC847BDW1T3G — Транзисторы

Краткая сводка о компоненте

MPN
BC847BDW1T3G
Описание
Компонент Onsemi BC847BDW1T3G. Поставка под заказ, проверка СВП.
Производитель
NXP / Nexperia / Infineon / onsemi
Корпус
SOT-23 / TO-92

Технические характеристики BC847BDW1T3G

ТипBipolar Junction Transistor (BJT)
V_CE (макс)45V
I_C (макс)100 mA
h_FE110 — 800
КорпусSOT-23 / TO-92
H FE110 — 800
I C (макс)100 mA
V CE (макс)45V
категорияПрочие компоненты
применениеПромышленная электроника, B2B поставка
сертификацияRoHS, REACH (по запросу)
тип компонентаЭлектронный компонент
проверка подлинностиВходной контроль в лаборатории СВП
Статус жизненного циклаActive

Расширенные параметры (decoded из MPN)

Технические параметры

ТипBipolar Junction Transistor (BJT)
КорпусSOT-23 / TO-92
H FE110 — 800
h_FE110 — 800
I C (макс)100 mA
I_C (макс)100 mA
V CE (макс)45V
V_CE (макс)45V
категорияПрочие компоненты
применениеПромышленная электроника, B2B поставка
проверка подлинностиВходной контроль в лаборатории СВП
сертификацияRoHS, REACH (по запросу)
тип компонентаЭлектронный компонент

Быстрая покупка

Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.

Получить КП+7 (910) 321-91-91

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.

  • Гарантия оригинала
  • Контроль в лаборатории СВП
  • Безналичный расчёт с НДС
  • Доставка по РФ и СНГ