Биполярный транзистор (BJT, малосигнальный) · Транзисторы
В производстве (Active)| Тип | Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Корпус | SOT-23 / TO-92 |
| H FE | 110 — 800 |
| h_FE | 110 — 800 |
| I C (макс) | 100 mA |
| I_C (макс) | 100 mA |
| V CE (макс) | 45V |
| V_CE (макс) | 45V |
| категория | Прочие компоненты |
| применение | Промышленная электроника, B2B поставка |
| проверка подлинности | Входной контроль в лаборатории СВП |
| сертификация | RoHS, REACH (по запросу) |
| тип компонента | Электронный компонент |
BC847BDW1T3G от NXP / Nexperia / Infineon / onsemi — Биполярный транзистор (BJT, малосигнальный) с низким сопротивлением открытого канала, что минимизирует потери проводимости и тепловыделение в установившемся режиме. Используется в схемах LED-драйверов с широтно-импульсной модуляцией, контроллерах нагревательных элементов, системах управления клапанами и соленоидами. Низкие потери переключения позволяют работать без радиатора при токах до нескольких ампер. Ключевые особенности: низкое сопротивление R_DS(on) снижает потери проводимости, встроенный диод обеспечивает защиту от обратных токов, широкий диапазон рабочих температур. Корпус SOT-23 / TO-92 оптимизирован для поверхностного монтажа. Все компоненты проходят входной контроль качества и хранятся в условиях, соответствующих требованиям производителя.
Используется в схемах LED-драйверов с широтно-импульсной модуляцией, контроллерах нагревательных элементов, системах управления клапанами и соленоидами. Низкие потери переключения позволяют работать без радиатора при токах до нескольких ампер.
Ключевые особенности: низкое сопротивление R_DS(on) снижает потери проводимости, встроенный диод обеспечивает защиту от обратных токов, широкий диапазон рабочих температур. Корпус SOT-23 / TO-92 оптимизирован для поверхностного монтажа.
Pin-to-pin совместимые аналоги доступны от нескольких производителей (Infineon, onsemi, STMicroelectronics, Vishay). При замене рекомендуется проверить соответствие R_DS(on), Q_g, и тепловых параметров.
Компонент BC847BDW1T3G от NXP / Nexperia / Infineon / onsemi доступен для заказа в любых количествах. Для оптовых покупателей действует гибкая система скидок и индивидуальное ценообразование. Компоненты хранятся на складе в контролируемых условиях (температура, влажность). Гарантия возврата при несоответствии спецификациям.
Транзистор производится компанией NXP / Nexperia / Infineon / onsemi. Гарантируется стабильность параметров и долгосрочная поддержка производства.
Да, транзистор совместим с большинством стандартных драйверов затвора (TI, Analog Devices, Infineon). Проверьте совместимость по уровню напряжения управления.
Да, кристалл применяется в драйверах BLDC, PMSM и DC-двигателей. Поддерживает работу на частотах ШИМ до сотен кГц при соответствующем драйвере затвора.
Напряжение V_DS указано в спецификациях (поле «V_DS (макс)»). Кристалл рассчитан на работу с запасом по пробою, что обеспечивает надёжность в переходных режимах.
Сопротивление открытого канала указано в спецификациях (поле «R_DS(on)»). Низкое значение R_DS(on) снижает потери проводимости и тепловыделение.
Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.
Получить КП+7 (910) 321-91-91Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.