Транзисторы
2 738 наименований
Транзисторы — компоненты группы «Активные компоненты»
2 738 наименований
Транзисторы — компоненты группы «Активные компоненты»
Страница 1 из 58. Показано 48 из 2 738.
Транзисторы — полупроводниковые приборы для усиления и коммутации электрических сигналов. В каталоге ChipNet представлены MOSFET (полевые с изолированным затвором), IGBT (биполярные с изолированным затвором), биполярные (BJT) и JFET транзисторы для силовой электроники, инверторов, источников питания и усилителей.
Для силовой электроники наиболее востребованы N-channel MOSFET (IRFZ44N, IRF540, IRLZ44N) с токами от 10 до 100А и напряжениями до 1000В. Для высоковольтных применений — IGBT (IRG4PC40U, IRG4PH50U) с напряжениями до 1200В. Для усиления аудиосигналов — биполярные 2N3904, 2N2222, BD139, BD140.
Ключевые параметры MOSFET: сопротивление канала в открытом состоянии (RDS(on) — от 1 мОм до 1 Ом), максимальный ток стока (ID), максимальное напряжение сток-исток (VDS), пороговое напряжение затвора (VGS(th)), заряд затвора (Qg — влияет на скорость переключения). Для импульсных источников питания выбирайте MOSFET с низким RDS(on) и низким Qg (Infineon OptiMOS, onsemi Super-Junction).
Для санкционных серий Infineon, ON Semiconductor, STMicroelectronics предлагаем кросс-референс на Vishay, Toshiba, ROHM и китайские аналоги (CJ, Silan, JSCJ).
Наши инженеры подберут компоненты под ваши требования, найдут аналоги санкционных серий, организуют доставку и проверку в лаборатории СВП.