ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

BC857B

Биполярный транзистор (BJT, малосигнальный) · Транзисторы

В производстве (Active)
BC857B — Транзисторы

Краткая сводка о компоненте

MPN
BC857B
Описание
Транзистор Vishay для промышленных и автомобильных приложений.
Производитель
NXP / Nexperia / Infineon / onsemi
Корпус
SOT-23 (SMD)

Технические характеристики BC857B

ТипBipolar Junction Transistor (BJT)
V_CE (макс)45V
I_C (макс)100 mA
h_FE110 — 800
КорпусSOT-23 (SMD)
Ft100…300 МГц
Hfe220…475 (BC857B)
типBJT PNP (малый сигнал)
корпусSOT-23
макс Uкэ Vceo45 В
тип монтажаSMD
мощность рассеяния330 мВт
макс ток коллектора100 мА
рабочая температура-65…+150°C
Статус жизненного циклаActive

Расширенные параметры (decoded из MPN)

Технические параметры

ТипBipolar Junction Transistor (BJT)
КорпусSOT-23 (SMD)
Ft100…300 МГц
h_FE110 — 800
Hfe220…475 (BC857B)
I_C (макс)100 mA
V_CE (макс)45V
корпусSOT-23
макс Uкэ Vceo45 В
макс ток коллектора100 мА
мощность рассеяния330 мВт
рабочая температура-65…+150°C
типBJT PNP (малый сигнал)
тип монтажаSMD

Быстрая покупка

Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.

Получить КП+7 (910) 321-91-91

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.

  • Гарантия оригинала
  • Контроль в лаборатории СВП
  • Безналичный расчёт с НДС
  • Доставка по РФ и СНГ