Биполярный транзистор (BJT, малосигнальный) · Транзисторы
В производстве (Active)| Тип | Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Корпус | SOT-23 (SMD) |
| Ft | 100…300 МГц |
| h_FE | 110 — 800 |
| Hfe | 220…475 (BC857B) |
| I_C (макс) | 100 mA |
| V_CE (макс) | 45V |
| корпус | SOT-23 |
| макс Uкэ Vceo | 45 В |
| макс ток коллектора | 100 мА |
| мощность рассеяния | 330 мВт |
| рабочая температура | -65…+150°C |
| тип | BJT PNP (малый сигнал) |
| тип монтажа | SMD |
BC857B производства NXP / Nexperia / Infineon / onsemi — Биполярный транзистор (BJT, малосигнальный) с оптимизированными характеристиками для импульсных источников питания, драйверов двигателей и других применений с высокими требованиями к надёжности. Рекомендуемые сферы: телекоммуникационное оборудование (DPA, RPA), источники бесперебойного питания (UPS), серверные блоки питания с резервированием. Подходит для построения мощных DC-DC преобразователей с КПД выше 95%. Ключевые особенности: низкое сопротивление R_DS(on) снижает потери проводимости, встроенный диод обеспечивает защиту от обратных токов, широкий диапазон рабочих температур. Корпус SOT-23 оптимизирован для поверхностного монтажа. Подходит для серийного производства и прототипирования. Доступен в наличии и под заказ с подтверждёнными сроками поставки.
Рекомендуемые сферы: телекоммуникационное оборудование (DPA, RPA), источники бесперебойного питания (UPS), серверные блоки питания с резервированием. Подходит для построения мощных DC-DC преобразователей с КПД выше 95%.
Ключевые особенности: низкое сопротивление R_DS(on) снижает потери проводимости, встроенный диод обеспечивает защиту от обратных токов, широкий диапазон рабочих температур. Корпус SOT-23 оптимизирован для поверхностного монтажа.
При кросс-производственной замене (cross-vendor) рекомендуется проверить SOA (Safe Operating Area) и тепловые характеристики. Корпус SOT-23 стандартизирован, поэтому механические посадочные места сохраняются.
Компонент BC857B от NXP / Nexperia / Infineon / onsemi доступен для заказа в любых количествах. Для оптовых покупателей действует гибкая система скидок и индивидуальное ценообразование. Компоненты хранятся на складе в контролируемых условиях (температура, влажность). Гарантия возврата при несоответствии спецификациям.
Сопротивление открытого канала указано в спецификациях (поле «R_DS(on)»). Низкое значение R_DS(on) снижает потери проводимости и тепловыделение.
Напряжение V_DS указано в спецификациях (поле «V_DS (макс)»). Кристалл рассчитан на работу с запасом по пробою, что обеспечивает надёжность в переходных режимах.
Да, транзистор совместим с большинством стандартных драйверов затвора (TI, Analog Devices, Infineon). Проверьте совместимость по уровню напряжения управления.
Да, кристалл применяется в драйверах BLDC, PMSM и DC-двигателей. Поддерживает работу на частотах ШИМ до сотен кГц при соответствующем драйвере затвора.
Необходимость радиатора зависит от рассеиваемой мощности. При токах свыше нескольких ампер рекомендуется предусмотреть медный полигон на PCB или внешний радиатор.
Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.
Получить КП+7 (910) 321-91-91Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.