ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
BC858B-H3 — Транзисторы

характеристики, даташит, аналоги

В производстве

Технические параметры

ТипBipolar Junction Transistor (BJT)
КорпусSOT-23 (SMD)
h_FE110 — 800
I_C (макс)100 mA
V_CE (макс)45V
корпусSOT-23
макс Uкэ Vceo45 В
макс ток коллектора100 мА
номенклатурный номер1115792761
рабочая температура-40…+85°C
тепловое сопротивление Rth J C80°C/Вт
типBJT PNP (малый сигнал)
тип монтажаSMD

Цена и наличие

В производстве

Цена по запросу

Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.

Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС