ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

BD139-K7

Биполярный транзистор (NPN, medium power) · Транзисторы

В производстве (Active)
BD139-K7 — Транзисторы

Краткая сводка о компоненте

MPN
BD139-K7
Описание
Силовой MOSFET транзистор Infineon. Для импульсных источников питания и мотор-драйверов.
Производитель
STMicroelectronics / NXP
Корпус
SOT-32 (TO-126)

Технические характеристики BD139-K7

ТипNPN Medium-Power Transistor
V_CE (макс)80V — 100V
I_C (макс)1.5A
h_FE40 — 160
P (мощность рассеяния)12.5 Вт
КорпусSOT-32 (TO-126)
типBJT NPN (средней мощности)
корпусSOT-32 (TO-126)
макс Uкэ80 В
тип монтажаSMD
макс ток коллектора1.5 А
рабочая температура-40…+85°C
номенклатурный номер1144729911
тепловое сопротивление Rth J C80°C/Вт
макс Uбэ5–6 В
коэф усиления Hfe100–300 (тип.)
граничная частота Ft100–300 МГц (тип., малый сигнал)
ёмкость коллектор база Ccb2–10 пФ (тип.)
напряжение насыщения Vce Sat0.2–0.5 В (тип.)
Статус жизненного циклаActive

Расширенные параметры (decoded из MPN)

Технические параметры

ТипNPN Medium-Power Transistor
КорпусSOT-32 (TO-126)
h_FE40 — 160
I_C (макс)1.5A
P (мощность рассеяния)12.5 Вт
V_CE (макс)80V — 100V
корпусSOT-32 (TO-126)
макс Uкэ80 В
макс ток коллектора1.5 А
номенклатурный номер1144729911
рабочая температура-40…+85°C
тепловое сопротивление Rth J C80°C/Вт
типBJT NPN (средней мощности)
тип монтажаSMD

Быстрая покупка

Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.

Получить КП+7 (910) 321-91-91

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.

  • Гарантия оригинала
  • Контроль в лаборатории СВП
  • Безналичный расчёт с НДС
  • Доставка по РФ и СНГ