ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
BD140-P3 — Транзисторы

характеристики, даташит, аналоги

В производстве

Технические параметры

ТипNPN Medium-Power Transistor
КорпусSOT-32 (TO-126)
h_FE40 — 160
I_C (макс)1.5A
P (мощность рассеяния)12.5 Вт
V_CE (макс)80V — 100V
корпусSOT-32 (TO-126)
макс Uкэ80 В
макс ток коллектора1.5 А
номенклатурный номер1145592560
рабочая температура-40…+85°C
тепловое сопротивление Rth J C80°C/Вт
типBJT PNP (средней мощности)
тип монтажаSMD

Цена и наличие

В производстве

Цена по запросу

Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.

Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС