характеристики, даташит, аналоги
В производстве
Технические параметры
| Тип | NPN Medium-Power Transistor |
| Корпус | SOT-32 (TO-126) |
| h_FE | 40 — 160 |
| I_C (макс) | 1.5A |
| P (мощность рассеяния) | 12.5 Вт |
| V_CE (макс) | 80V — 100V |
| диапазон рабочих частот | до 1 МГц (силовые) |
| макс Uзи Vgs | ±20 В |
| номенклатурный номер | 1183793856 |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тепловое сопротивление Rth J C | 50°C/Вт |
| тип | MOSFET |
| тип монтажа | SMD |
Похожие компоненты в категории «Транзисторы»
BD237-H8
STMicroelectronics / NXP
BD237-H8 — Биполярный транзистор (NPN, medium power) (STMicroelectronics / NXP)
BD237
STMicroelectronics / NXP
BD237 — Биполярный транзистор (NPN, medium power) (STMicroelectronics / NXP)
BD140-Z5
STMicroelectronics / NXP
BD140-Z5 — Биполярный транзистор (NPN, medium power) (STMicroelectronics / NXP)
BD237-L4
STMicroelectronics / NXP
BD237-L4 — Биполярный транзистор (NPN, medium power) (STMicroelectronics / NXP)
EOLBD139-O7
STMicroelectronics / NXP
BD139-O7 — Биполярный транзистор (NPN, medium power) (STMicroelectronics / NXP)
BD237-G5
STMicroelectronics / NXP
BD237-G5 — Биполярный транзистор (NPN, medium power) (STMicroelectronics / NXP)
EOLBD237-H4
STMicroelectronics / NXP
BD237-H4 — Биполярный транзистор (NPN, medium power) (STMicroelectronics / NXP)
BD237-C7
STMicroelectronics / NXP
BD237-C7 — Биполярный транзистор (NPN, medium power) (STMicroelectronics / NXP)
Цена и наличие
В производствеЦена по запросу
Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.
Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.
Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС