ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
CSD8N60P — Транзисторы

характеристики, даташит, аналоги

В производстве

Технические параметры

ТипNexFET Power MOSFET
V_DS (макс)20V — 100V (зависит от серии)
I_D (макс)10A — 100A
R_DS(on)1 — 50 мОм
КорпусQFN / SON / DQN
диапазон рабочих частотдо 1 МГц (силовые)
макс Uзи Vgs±20 В
номенклатурный номер1139051333
рабочая температура-40…+85°C
тепловое сопротивление Rth J C50°C/Вт
ТехнологияNexFET (TI — улучшенный power MOSFET)
типMOSFET
тип монтажаSMD

Цена и наличие

В производстве

Цена по запросу

Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.

Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС