характеристики, даташит, аналоги
В производстве
Технические параметры
| Тип | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
| Корпус | TO-220 / TO-247 / TO-252 |
| I_C/I_D (макс) | 10A — 75A |
| V_CE(sat)/R_DS(on) | 1.5V — 3.0V (IGBT) / 0.2 — 1.0 Ω (MOSFET) |
| V_CE/V_DS (макс) | 600V — 1200V |
| диапазон рабочих частот | до 1 МГц (силовые) |
| корпус | TO-247 |
| макс Uзи Vgs | ±20 В |
| номенклатурный номер | 1196091214 |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тепловое сопротивление Rth J C | 0.5°C/Вт |
| тип | MOSFET |
| тип монтажа | THT |
Похожие компоненты в категории «Транзисторы»
FGT802D2PAK-7
onsemi (Fairchild)
FGT802D2PAK-7 — IGBT транзистор (onsemi (Fairchild))
FQD10N60TR
onsemi (Fairchild)
FQD10N60TR — MOSFET транзистор (high voltage) (onsemi (Fairchild))
FGL669N120T
onsemi (Fairchild)
FGL669N120T — IGBT транзистор (onsemi (Fairchild))
FGT795N40H3
onsemi (Fairchild)
FGT795N40H3 — IGBT транзистор (onsemi (Fairchild))
FGL293N120T
onsemi (Fairchild)
FGL293N120T — IGBT транзистор (onsemi (Fairchild))
FGL740N40T
onsemi (Fairchild)
FGL740N40T — IGBT транзистор (onsemi (Fairchild))
FGL358N120T
onsemi (Fairchild)
FGL358N120T — IGBT транзистор (onsemi (Fairchild))
FGT736N60H3
onsemi (Fairchild)
FGT736N60H3 — IGBT транзистор (onsemi (Fairchild))
Цена и наличие
В производствеЦена по запросу
Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.
Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.
Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС