ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

FGT929D2PAK-7

IGBT транзистор · Транзисторы

В производстве (Active)
FGT929D2PAK-7 — Транзисторы

Краткая сводка о компоненте

MPN
FGT929D2PAK-7
Описание
Электронный компонент Toshiba для силовой электроники.
Производитель
onsemi (Fairchild)
Корпус
TO-220 / TO-247 / TO-252

Технические характеристики FGT929D2PAK-7

ТипIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
V_CE/V_DS (макс)600V — 1200V
I_C/I_D (макс)10A — 75A
V_CE(sat)/R_DS(on)1.5V — 3.0V (IGBT) / 0.2 — 1.0 Ω (MOSFET)
КорпусTO-220 / TO-247 / TO-252
гарантия12 месяцев (оригинальная упаковка)
I C/I D (макс)10A — 75A
V CE(Sat)/R DS(On)1.5V — 3.0V (IGBT) / 0.2 — 1.0 Ω (MOSFET)
категорияПрочие компоненты
V CE/V DS (макс)600V — 1200V
применениеПромышленная электроника, B2B поставка
сертификацияRoHS, REACH (по запросу)
тип компонентаЭлектронный компонент
номенклатурный номер9995040384
проверка подлинностиВходной контроль в лаборатории СВП
Статус жизненного циклаActive

Расширенные параметры (decoded из MPN)

Технические параметры

ТипIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
КорпусTO-220 / TO-247 / TO-252
I C/I D (макс)10A — 75A
I_C/I_D (макс)10A — 75A
V CE(Sat)/R DS(On)1.5V — 3.0V (IGBT) / 0.2 — 1.0 Ω (MOSFET)
V CE/V DS (макс)600V — 1200V
V_CE(sat)/R_DS(on)1.5V — 3.0V (IGBT) / 0.2 — 1.0 Ω (MOSFET)
V_CE/V_DS (макс)600V — 1200V
гарантия12 месяцев (оригинальная упаковка)
категорияПрочие компоненты
номенклатурный номер9995040384
применениеПромышленная электроника, B2B поставка
проверка подлинностиВходной контроль в лаборатории СВП
сертификацияRoHS, REACH (по запросу)
тип компонентаЭлектронный компонент

Быстрая покупка

Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.

Получить КП+7 (910) 321-91-91

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.

  • Гарантия оригинала
  • Контроль в лаборатории СВП
  • Безналичный расчёт с НДС
  • Доставка по РФ и СНГ