ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
HGT583TO-220 — Транзисторы

характеристики, даташит, аналоги

В производстве

Технические параметры

ТипIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
КорпусTO-247 / TO-264
I_C (макс)20A — 100A
V_CE (макс)600V — 1200V
V_CE(sat)1.5V — 3.5V
диапазон рабочих частотдо 1 МГц (силовые)
корпусTO-220
макс Uзи Vgs±20 В
номенклатурный номер1161560844
рабочая температура-40…+85°C
тепловое сопротивление Rth J C1.0°C/Вт
типMOSFET
тип монтажаTHT

Аналоги и замены для HGT583TO-220

В случае недоступности, рекомендуем следующие кросс-референсы:

Цена и наличие

В производстве

Цена по запросу

Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.

Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС