IGBT транзистор (high voltage) · Транзисторы
В производстве (Active)| Тип | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
| Корпус | TO-247 / TO-264 |
| I_C (макс) | 20A — 100A |
| V_CE (макс) | 600V — 1200V |
| V_CE(sat) | 1.5V — 3.5V |
| номенклатурный номер | 1176326982 |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тип | IGBT |
| тип монтажа | SMD |
HGTG309N60H3 производства Harris / Intersil — IGBT транзистор (high voltage) с оптимизированными характеристиками для импульсных источников питания, драйверов двигателей и других применений с высокими требованиями к надёжности. Типичные применения: импульсные источники питания (AC/DC, DC/DC), схемы управления двигателями (BLDC, PMSM, DC), инверторы для солнечной энергетики, зарядные устройства для аккумуляторов. Подходит для построения синхронных выпрямителей и полумостов с частотами коммутации до сотен кГц. Отличительные черты: интегрированный температурный компенсатор порога (у некоторых моделей), низкое тепловое сопротивление кристалл-корпус, поддержка быстрого переключения (dv/dt). Кристалл устойчив к повторяющимся коротким замыканиям. Подходит для серийного производства и прототипирования. Доступен в наличии и под заказ с подтверждёнными сроками поставки.
Типичные применения: импульсные источники питания (AC/DC, DC/DC), схемы управления двигателями (BLDC, PMSM, DC), инверторы для солнечной энергетики, зарядные устройства для аккумуляторов. Подходит для построения синхронных выпрямителей и полумостов с частотами коммутации до сотен кГц.
Отличительные черты: интегрированный температурный компенсатор порога (у некоторых моделей), низкое тепловое сопротивление кристалл-корпус, поддержка быстрого переключения (dv/dt). Кристалл устойчив к повторяющимся коротким замыканиям.
При кросс-производственной замене (cross-vendor) рекомендуется проверить SOA (Safe Operating Area) и тепловые характеристики. Корпус SMD стандартизирован, поэтому механические посадочные места сохраняются.
Заказ HGTG309N60H3 (Harris / Intersil) доступен как в розничных количествах, так и оптом. Компоненты проходят входной визуальный и электрический контроль, хранятся в антистатической упаковке. Доставка по России — от 2 рабочих дней, по СНГ — от 5 дней. Для B2B-клиентов доступны отсрочка платежа и индивидуальные цены.
Да, транзистор совместим с большинством стандартных драйверов затвора (TI, Analog Devices, Infineon). Проверьте совместимость по уровню напряжения управления.
Тип корпуса указан в поле «Корпус». Корпус SMD обеспечивает оптимальное сочетание тепловых характеристик и удобства монтажа.
Транзистор производится компанией Harris / Intersil. Гарантируется стабильность параметров и долгосрочная поддержка производства.
Напряжение V_DS указано в спецификациях (поле «V_DS (макс)»). Кристалл рассчитан на работу с запасом по пробою, что обеспечивает надёжность в переходных режимах.
Да, кристалл применяется в драйверах BLDC, PMSM и DC-двигателей. Поддерживает работу на частотах ШИМ до сотен кГц при соответствующем драйвере затвора.
На случай недоступности рекомендуем следующие кросс-референсы:
Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.
Получить КП+7 (910) 321-91-91Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.