ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

HGTG309N60H3

IGBT транзистор (high voltage) · Транзисторы

В производстве (Active)
HGTG309N60H3 — Транзисторы

Краткая сводка о компоненте

MPN
HGTG309N60H3
Описание
Транзистор Vishay для промышленных и автомобильных приложений.
Производитель
Harris / Intersil
Корпус
TO-247 / TO-264

Технические характеристики HGTG309N60H3

ТипIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
V_CE (макс)600V — 1200V
I_C (макс)20A — 100A
V_CE(sat)1.5V — 3.5V
КорпусTO-247 / TO-264
типIGBT
тип монтажаSMD
рабочая температура-40…+85°C
номенклатурный номер1176326982
Vce Sat1.5–2.5 В (тип.)
заряд затвора Qg50–200 нКл
частота коммутациидо 30 кГц (тип.)
тепловое сопротивление0.5–1.5°C/Вт
Статус жизненного циклаActive

Расширенные параметры (decoded из MPN)

Технические параметры

ТипIGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
КорпусTO-247 / TO-264
I_C (макс)20A — 100A
V_CE (макс)600V — 1200V
V_CE(sat)1.5V — 3.5V
номенклатурный номер1176326982
рабочая температура-40…+85°C
типIGBT
тип монтажаSMD

Аналоги и замены для HGTG309N60H3

На случай недоступности рекомендуем следующие кросс-референсы:

Быстрая покупка

Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.

Получить КП+7 (910) 321-91-91

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.

  • Гарантия оригинала
  • Контроль в лаборатории СВП
  • Безналичный расчёт с НДС
  • Доставка по РФ и СНГ