IGT217N120H3
Электронный компонент · Транзисторы
В производстве (Active)
Краткая сводка о компоненте
- MPN
- IGT217N120H3
- Описание
- Транзистор Vishay для промышленных и автомобильных приложений.
- Производитель
- Vishay
- Корпус
- SMD
Технические характеристики IGT217N120H3
Расширенные параметры (decoded из MPN)
Технические параметры
| гарантия | 12 месяцев (оригинальная упаковка) |
| категория | Транзисторы |
| номенклатурный номер | 1110818273 |
| применение | Промышленная электроника, B2B поставка |
| проверка подлинности | Входной контроль в лаборатории СВП |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| сертификация | RoHS, REACH (по запросу) |
| тип компонента | Электронный компонент |
| тип монтажа | SMD |
Описание IGT217N120H3
IGT217N120H3 от Vishay — Электронный компонент с низким сопротивлением открытого канала, что минимизирует потери проводимости и тепловыделение в установившемся режиме. Используется в схемах LED-драйверов с широтно-импульсной модуляцией, контроллерах нагревательных элементов, системах управления клапанами и соленоидами. Низкие потери переключения позволяют работать без радиатора при токах до нескольких ампер. Технические достоинства: оптимизированная геометрия кристалла снижает паразитные ёмкости, что упрощает работу на высоких частотах. Встроенный диод Шоттки (для некоторых моделей) устраняет потери обратного восстановления. Подходит для серийного производства и прототипирования. Доступен в наличии и под заказ с подтверждёнными сроками поставки.
Применение IGT217N120H3
Используется в схемах LED-драйверов с широтно-импульсной модуляцией, контроллерах нагревательных элементов, системах управления клапанами и соленоидами. Низкие потери переключения позволяют работать без радиатора при токах до нескольких ампер.
Особенности и технические характеристики
Технические достоинства: оптимизированная геометрия кристалла снижает паразитные ёмкости, что упрощает работу на высоких частотах. Встроенный диод Шоттки (для некоторых моделей) устраняет потери обратного восстановления.
Совместимость и аналоги
При кросс-производственной замене (cross-vendor) рекомендуется проверить SOA (Safe Operating Area) и тепловые характеристики. Корпус SMD стандартизирован, поэтому механические посадочные места сохраняются.
Поставка и упаковка
Компонент IGT217N120H3 от Vishay поставляется с сертификатом соответствия и маркировкой производителя. Для серийных заказов доступна упаковка в тапе-анд-рил (T&R) с заданным шагом. Минимальный заказ — от 1 шт. Срок поставки под заказ — от 5 рабочих дней. Возможна отгрузка со склада в Москве при наличии.
Часто задаваемые вопросы о IGT217N120H3
Подходит ли IGT217N120H3 для управления двигателем?
Да, кристалл применяется в драйверах BLDC, PMSM и DC-двигателей. Поддерживает работу на частотах ШИМ до сотен кГц при соответствующем драйвере затвора.
Какой максимальный ток стока?
Ток I_D указан в спецификациях (поле «I_D»). Для длительной работы рекомендуется закладывать коэффициент запаса 0.6-0.7 от максимально допустимого значения.
Нужен ли радиатор для IGT217N120H3?
Необходимость радиатора зависит от рассеиваемой мощности. При токах свыше нескольких ампер рекомендуется предусмотреть медный полигон на PCB или внешний радиатор.
Какое максимальное напряжение сток-исток у IGT217N120H3?
Напряжение V_DS указано в спецификациях (поле «V_DS (макс)»). Кристалл рассчитан на работу с запасом по пробою, что обеспечивает надёжность в переходных режимах.
Каков бренд этого транзистора?
Транзистор производится компанией Vishay. Гарантируется стабильность параметров и долгосрочная поддержка производства.
Похожие компоненты в категории «Транзисторы»
Быстрая покупка
Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.
Получить КП+7 (910) 321-91-91Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.
- Гарантия оригинала
- Контроль в лаборатории СВП
- Безналичный расчёт с НДС
- Доставка по РФ и СНГ