ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

IKW641N60T

IGBT транзистор (Infineon TrenchStop) · Транзисторы

В производстве (Active)
IKW641N60T — Транзисторы

Краткая сводка о компоненте

MPN
IKW641N60T
Описание
Силовой MOSFET транзистор Infineon. Для импульсных источников питания и мотор-драйверов.
Производитель
Infineon
Корпус
TO-247 / TO-220

Технические характеристики IKW641N60T

ТипIGBT (TrenchStop technology)
V_CE (макс)600V — 1200V
I_C (макс)20A — 75A
V_CE(sat)1.2V — 2.0V
КорпусTO-247 / TO-220
типMOSFET
макс Uзи Vgs±20 В
тип монтажаSMD
рабочая температура-40…+85°C
номенклатурный номер1166698157
диапазон рабочих частотдо 1 МГц (силовые)
тепловое сопротивление Rth J C50°C/Вт
время вкл Td On10–50 нс (тип.)
время выкл Td Off30–150 нс (тип.)
заряд затвора Qg5–30 нКл
пороговое Uзи Vgs Th2–4 В (тип.)
входная ёмкость Ciss500–3000 пФ (тип.)
обратная ёмкость Crss50–300 пФ (тип.)
Статус жизненного циклаActive

Расширенные параметры (decoded из MPN)

Технические параметры

ТипIGBT (TrenchStop technology)
КорпусTO-247 / TO-220
I_C (макс)20A — 75A
V_CE (макс)600V — 1200V
V_CE(sat)1.2V — 2.0V
диапазон рабочих частотдо 1 МГц (силовые)
макс Uзи Vgs±20 В
номенклатурный номер1166698157
рабочая температура-40…+85°C
тепловое сопротивление Rth J C50°C/Вт
типMOSFET
тип монтажаSMD

Быстрая покупка

Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.

Получить КП+7 (910) 321-91-91

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.

  • Гарантия оригинала
  • Контроль в лаборатории СВП
  • Безналичный расчёт с НДС
  • Доставка по РФ и СНГ