характеристики, даташит, аналоги
В производстве
Технические параметры
| диапазон рабочих частот | до 1 МГц (силовые) |
| макс Uзи Vgs | ±20 В |
| номенклатурный номер | 1165324549 |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тепловое сопротивление Rth J C | 50°C/Вт |
| тип | MOSFET |
| тип монтажа | SMD |
Аналоги и замены для IPB7N60P
В случае недоступности, рекомендуем следующие кросс-референсы:
Похожие компоненты в категории «Транзисторы»
HGTG33TO-247
Infineon
MOSFET транзистор Infineon HGTG33TO-247
BSC3205SOT-23
Infineon
MOSFET транзистор Infineon BSC3205SOT-23
STBZ44ND2PAK
Infineon
MOSFET транзистор Infineon STBZ44ND2PAK
BD239-G3
Infineon
MOSFET транзистор Infineon BD239-G3
EOLBSZZ44NV
Infineon
MOSFET транзистор Infineon BSZZ44NV
IPD12N60TO-263
Infineon
MOSFET транзистор Infineon IPD12N60TO-263
STB10N60G
Infineon
MOSFET транзистор Infineon STB10N60G
IGT336TO-247
Infineon
MOSFET транзистор Infineon IGT336TO-247
EOLЦена и наличие
В производствеЦена по запросу
Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.
Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.
Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС