IRF10N60L

Name: IRF10N60L — N-channel MOSFET транзистор (Infineon)
Brand: Infineon
SKU: IRF10N60L
Availability: InStock

N-channel MOSFET транзистор · Транзисторы

В производстве (Active)

MPN: IRF10N60L
Описание: Транзистор для силовой электроники и управления нагрузкой.
Производитель: Infineon
V_DS (макс): 55V — 600V
Корпус: TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK)

Технические характеристики IRF10N60L

ТипN-channel Power MOSFET

V_DS (макс)55V — 600V

I_D (макс)10A — 100A

R_DS(on)5 мОм — 200 мОм

V_GS (gate threshold)2V — 4V

КорпусTO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK)

гарантия12 месяцев (оригинальная упаковка)

категорияТранзисторы

применениеПромышленная электроника, B2B поставка

тип монтажаSMD

сертификацияRoHS, REACH (по запросу)

тип компонентаЭлектронный компонент

рабочая температура-40…+85°C

номенклатурный номер1162689287

проверка подлинностиВходной контроль в лаборатории СВП

Статус жизненного циклаActive

Расширенные параметры (decoded из MPN)

Технические параметры

Тип	N-channel Power MOSFET
V_DS (макс)	55V — 600V
I_D (макс)	10A — 100A
R_DS(on)	5 мОм — 200 мОм
Корпус	TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK)
V_GS (gate threshold)	2V — 4V
гарантия	12 месяцев (оригинальная упаковка)
категория	Транзисторы
номенклатурный номер	1162689287
применение	Промышленная электроника, B2B поставка
проверка подлинности	Входной контроль в лаборатории СВП
рабочая температура	-40…+85°C
сертификация	RoHS, REACH (по запросу)
тип компонента	Электронный компонент
тип монтажа	SMD

Описание IRF10N60L

Транзистор IRF10N60L от Infineon — это N-channel MOSFET транзистор, спроектированный для применения в ключевых узлах силовой электроники. Компонент обеспечивает высокую эффективность переключения и низкие потери проводимости. Используется в схемах LED-драйверов с широтно-импульсной модуляцией, контроллерах нагревательных элементов, системах управления клапанами и соленоидами. Низкие потери переключения позволяют работать без радиатора при токах до нескольких ампер. Технические достоинства: оптимизированная геометрия кристалла снижает паразитные ёмкости, что упрощает работу на высоких частотах. Встроенный диод Шоттки (для некоторых моделей) устраняет потери обратного восстановления. Компонент поставляется в промышленной упаковке с маркировкой производителя и соответствует требованиям B2B-сегмента.

Применение IRF10N60L

Используется в схемах LED-драйверов с широтно-импульсной модуляцией, контроллерах нагревательных элементов, системах управления клапанами и соленоидами. Низкие потери переключения позволяют работать без радиатора при токах до нескольких ампер.

Особенности и технические характеристики

Технические достоинства: оптимизированная геометрия кристалла снижает паразитные ёмкости, что упрощает работу на высоких частотах. Встроенный диод Шоттки (для некоторых моделей) устраняет потери обратного восстановления.

Совместимость и аналоги

Для замены доступны аналоги с улучшенными параметрами (Energy Efficient серии). Рекомендуется проверить совместимость по ESD-характеристикам и диапазону напряжений затвора.

Поставка и упаковка

IRF10N60L от Infineon можно приобрести в количествах от 1 шт. с подтверждением подлинности через маркировку и упаковку производителя. Для серийного производства возможны поставки полными катушками (full reel) с заданным числом компонентов. Оформление через сайт или по телефону. Доставка — СДЭК, Boxberry, транспортные компании.

Часто задаваемые вопросы о IRF10N60L

Какое сопротивление R_DS(on) у IRF10N60L?

Сопротивление открытого канала указано в спецификациях (поле «R_DS(on)»). Низкое значение R_DS(on) снижает потери проводимости и тепловыделение.

Какой корпус у транзистора IRF10N60L?

Тип корпуса указан в поле «Корпус». Корпус TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) обеспечивает оптимальное сочетание тепловых характеристик и удобства монтажа.

Нужен ли радиатор для IRF10N60L?

Необходимость радиатора зависит от рассеиваемой мощности. При токах свыше нескольких ампер рекомендуется предусмотреть медный полигон на PCB или внешний радиатор.

Подходит ли IRF10N60L для управления двигателем?

Да, кристалл применяется в драйверах BLDC, PMSM и DC-двигателей. Поддерживает работу на частотах ШИМ до сотен кГц при соответствующем драйвере затвора.

Какое максимальное напряжение сток-исток у IRF10N60L?

Напряжение V_DS указано в спецификациях (поле «V_DS (макс)»). Кристалл рассчитан на работу с запасом по пробою, что обеспечивает надёжность в переходных режимах.

Быстрая покупка

Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.

Получить КП +7 (910) 321-91-91

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.

Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС
Доставка по РФ и СНГ