ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

IRF3205N

N-channel Power MOSFET транзистор · Транзисторы

В производстве (Active)
IRF3205N — Транзисторы

Краткая сводка о компоненте

MPN
IRF3205N
Описание
Транзистор для промышленных и автомобильных приложений.
Производитель
Infineon (International Rectifier)
V_DS (макс)
55V — 600V
Корпус
TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK)

Технические характеристики IRF3205N

ТипN-channel Power MOSFET
V_DS (макс)55V — 600V
I_D (макс)10A — 100A
R_DS(on)5 мОм — 200 мОм
V_GS (gate threshold)2V — 4V
V_GS (drive)10V standard drive
КорпусTO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK)
МонтажTHT
Rds On8 мОм
типMOSFET N-канал
корпусTO-220
макс Uзи Vgs±20 В
тип монтажаTHT (выводной)
макс ток стока110 А
макс Uсток исток55 В
рабочая температура-40…+85°C
номенклатурный номер1178396670
диапазон рабочих частотдо 1 МГц (силовые)
тепловое сопротивление Rth J C50°C/Вт
время вкл Td On10–50 нс (тип.)
время выкл Td Off30–150 нс (тип.)
заряд затвора Qg5–30 нКл
пороговое Uзи Vgs Th2–4 В (тип.)
входная ёмкость Ciss500–3000 пФ (тип.)
обратная ёмкость Crss50–300 пФ (тип.)
Статус жизненного циклаActive

Расширенные параметры (decoded из MPN)

Технические параметры

ТипN-channel Power MOSFET
V_DS (макс)55V — 600V
I_D (макс)10A — 100A
R_DS(on)5 мОм — 200 мОм
КорпусTO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK)
Rds On8 мОм
V_GS (drive)10V standard drive
V_GS (gate threshold)2V — 4V
диапазон рабочих частотдо 1 МГц (силовые)
корпусTO-220
макс Uзи Vgs±20 В
макс Uсток исток55 В
макс ток стока110 А
МонтажTHT
номенклатурный номер1178396670
рабочая температура-40…+85°C
тепловое сопротивление Rth J C50°C/Вт
типMOSFET N-канал
тип монтажаTHT (выводной)

Быстрая покупка

Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.

Получить КП+7 (910) 321-91-91

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.

  • Гарантия оригинала
  • Контроль в лаборатории СВП
  • Безналичный расчёт с НДС
  • Доставка по РФ и СНГ