N-channel Power MOSFET транзистор · Транзисторы
В производстве (Active)| Тип | N-channel Power MOSFET |
| V_DS (макс) | 55V — 600V |
| I_D (макс) | 10A — 100A |
| R_DS(on) | 5 мОм — 200 мОм |
| Корпус | TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) |
| Rds On | 8 мОм |
| V_GS (drive) | 10V standard drive |
| V_GS (gate threshold) | 2V — 4V |
| диапазон рабочих частот | до 1 МГц (силовые) |
| корпус | TO-220 |
| макс Uзи Vgs | ±20 В |
| макс Uсток исток | 55 В |
| макс ток стока | 110 А |
| Монтаж | THT |
| номенклатурный номер | 1178396670 |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тепловое сопротивление Rth J C | 50°C/Вт |
| тип | MOSFET N-канал |
| тип монтажа | THT (выводной) |
IRF3205N производства Infineon (International Rectifier) — N-channel Power MOSFET транзистор с оптимизированными характеристиками для импульсных источников питания, драйверов двигателей и других применений с высокими требованиями к надёжности. Рекомендуемые сферы: телекоммуникационное оборудование (DPA, RPA), источники бесперебойного питания (UPS), серверные блоки питания с резервированием. Подходит для построения мощных DC-DC преобразователей с КПД выше 95%. Особенности: расширенный диапазон V_DS с запасом по пробою, поддержка работы в режиме avalanche без деградации, совместимость с большинством стандартных драйверов затвора. Тепловые характеристики стабильны при длительной эксплуатации. Компонент поставляется в промышленной упаковке с маркировкой производителя и соответствует требованиям B2B-сегмента.
Рекомендуемые сферы: телекоммуникационное оборудование (DPA, RPA), источники бесперебойного питания (UPS), серверные блоки питания с резервированием. Подходит для построения мощных DC-DC преобразователей с КПД выше 95%.
Особенности: расширенный диапазон V_DS с запасом по пробою, поддержка работы в режиме avalanche без деградации, совместимость с большинством стандартных драйверов затвора. Тепловые характеристики стабильны при длительной эксплуатации.
Семейственная совместимость: кристалл может быть заменён на младшие/старшие модели того же семейства без переразводки платы (при совпадении корпуса TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK)). Это упрощает масштабирование изделий.
Компонент IRF3205N от Infineon (International Rectifier) поставляется с сертификатом соответствия и маркировкой производителя. Для серийных заказов доступна упаковка в тапе-анд-рил (T&R) с заданным шагом. Минимальный заказ — от 1 шт. Срок поставки под заказ — от 5 рабочих дней. Возможна отгрузка со склада в Москве при наличии.
Ток I_D указан в спецификациях (поле «I_D»). Для длительной работы рекомендуется закладывать коэффициент запаса 0.6-0.7 от максимально допустимого значения.
Необходимость радиатора зависит от рассеиваемой мощности. При токах свыше нескольких ампер рекомендуется предусмотреть медный полигон на PCB или внешний радиатор.
Транзистор производится компанией Infineon (International Rectifier). Гарантируется стабильность параметров и долгосрочная поддержка производства.
Напряжение V_DS указано в спецификациях (поле «V_DS (макс)»). Кристалл рассчитан на работу с запасом по пробою, что обеспечивает надёжность в переходных режимах.
Тип корпуса указан в поле «Корпус». Корпус TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) обеспечивает оптимальное сочетание тепловых характеристик и удобства монтажа.
Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.
Получить КП+7 (910) 321-91-91Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.