характеристики, даташит, аналоги
В производстве
Технические параметры
| Тип | N-channel Power MOSFET |
| V_DS (макс) | 55V — 600V |
| I_D (макс) | 10A — 100A |
| R_DS(on) | 5 мОм — 200 мОм |
| Корпус | TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) |
| V_GS (gate threshold) | 2V — 4V |
| диапазон рабочих частот | до 1 МГц (силовые) |
| макс Uзи Vgs | ±20 В |
| номенклатурный номер | 1179858086 |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тепловое сопротивление Rth J C | 50°C/Вт |
| тип | MOSFET |
| тип монтажа | SMD |
Похожие компоненты в категории «Транзисторы»
AUIRG462N120H3
Infineon
MOSFET транзистор Infineon AUIRG462N120H3
EOLMMBT5551-O8
Infineon
MOSFET транзистор Infineon MMBT5551-O8
SGDP824P40T
Infineon
MOSFET транзистор Infineon SGDP824P40T
HGT15N30T
Infineon
MOSFET транзистор Infineon HGT15N30T
BD237-E3
Infineon
MOSFET транзистор Infineon BD237-E3
EOLHGTG267TO-220
Infineon
MOSFET транзистор Infineon HGTG267TO-220
HGTG939N60T
Infineon
MOSFET транзистор Infineon HGTG939N60T
SGDP562P40T
Infineon
MOSFET транзистор Infineon SGDP562P40T
Цена и наличие
В производствеЦена по запросу
Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.
Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.
Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС