N-channel MOSFET транзистор · Транзисторы
В производстве (Active)| Тип | N-channel Power MOSFET |
| V_DS (макс) | 55V — 600V |
| I_D (макс) | 10A — 100A |
| R_DS(on) | 5 мОм — 200 мОм |
| Корпус | TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) |
| V_GS (gate threshold) | 2V — 4V |
| диапазон рабочих частот | до 1 МГц (силовые) |
| корпус | TO-220 |
| макс Uзи Vgs | ±20 В |
| номенклатурный номер | 1117334443 |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тепловое сопротивление Rth J C | 1.0°C/Вт |
| тип | MOSFET |
| тип монтажа | THT |
IRF7N60TO-220 от Infineon — N-channel MOSFET транзистор с низким сопротивлением открытого канала, что минимизирует потери проводимости и тепловыделение в установившемся режиме. Рекомендуемые сферы: телекоммуникационное оборудование (DPA, RPA), источники бесперебойного питания (UPS), серверные блоки питания с резервированием. Подходит для построения мощных DC-DC преобразователей с КПД выше 95%. Среди преимуществ: высокая допустимая импульсная мощность, низкий заряд затвора Q_g (что снижает потери переключения и упрощает работу драйвера), стойкость к лавинному пробою. Тепловое сопротивление R_θJA оптимизировано для работы на печатной плате. Все компоненты проходят входной контроль качества и хранятся в условиях, соответствующих требованиям производителя.
Рекомендуемые сферы: телекоммуникационное оборудование (DPA, RPA), источники бесперебойного питания (UPS), серверные блоки питания с резервированием. Подходит для построения мощных DC-DC преобразователей с КПД выше 95%.
Среди преимуществ: высокая допустимая импульсная мощность, низкий заряд затвора Q_g (что снижает потери переключения и упрощает работу драйвера), стойкость к лавинному пробою. Тепловое сопротивление R_θJA оптимизировано для работы на печатной плате.
Для замены доступны аналоги с улучшенными параметрами (Energy Efficient серии). Рекомендуется проверить совместимость по ESD-характеристикам и диапазону напряжений затвора.
Компонент IRF7N60TO-220 от Infineon доступен для заказа в любых количествах. Для оптовых покупателей действует гибкая система скидок и индивидуальное ценообразование. Компоненты хранятся на складе в контролируемых условиях (температура, влажность). Гарантия возврата при несоответствии спецификациям.
Ток I_D указан в спецификациях (поле «I_D»). Для длительной работы рекомендуется закладывать коэффициент запаса 0.6-0.7 от максимально допустимого значения.
Напряжение V_DS указано в спецификациях (поле «V_DS (макс)»). Кристалл рассчитан на работу с запасом по пробою, что обеспечивает надёжность в переходных режимах.
Транзистор производится компанией Infineon. Гарантируется стабильность параметров и долгосрочная поддержка производства.
Да, кристалл применяется в драйверах BLDC, PMSM и DC-двигателей. Поддерживает работу на частотах ШИМ до сотен кГц при соответствующем драйвере затвора.
Да, транзистор совместим с большинством стандартных драйверов затвора (TI, Analog Devices, Infineon). Проверьте совместимость по уровню напряжения управления.
Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.
Получить КП+7 (910) 321-91-91Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.