ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

IRF7N60TO-220

N-channel MOSFET транзистор · Транзисторы

В производстве (Active)
IRF7N60TO-220 — Транзисторы

Краткая сводка о компоненте

MPN
IRF7N60TO-220
Описание
Силовой MOSFET транзистор Infineon. Для импульсных источников питания и мотор-драйверов.
Производитель
Infineon
V_DS (макс)
55V — 600V
Корпус
TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK)

Технические характеристики IRF7N60TO-220

ТипN-channel Power MOSFET
V_DS (макс)55V — 600V
I_D (макс)10A — 100A
R_DS(on)5 мОм — 200 мОм
V_GS (gate threshold)2V — 4V
КорпусTO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK)
типMOSFET
корпусTO-220
макс Uзи Vgs±20 В
тип монтажаTHT
рабочая температура-40…+85°C
номенклатурный номер1117334443
диапазон рабочих частотдо 1 МГц (силовые)
тепловое сопротивление Rth J C1.0°C/Вт
время вкл Td On10–50 нс (тип.)
время выкл Td Off30–150 нс (тип.)
заряд затвора Qg30–80 нКл
пороговое Uзи Vgs Th2–4 В (тип.)
входная ёмкость Ciss500–3000 пФ (тип.)
обратная ёмкость Crss50–300 пФ (тип.)
Статус жизненного циклаActive

Расширенные параметры (decoded из MPN)

Технические параметры

ТипN-channel Power MOSFET
V_DS (макс)55V — 600V
I_D (макс)10A — 100A
R_DS(on)5 мОм — 200 мОм
КорпусTO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK)
V_GS (gate threshold)2V — 4V
диапазон рабочих частотдо 1 МГц (силовые)
корпусTO-220
макс Uзи Vgs±20 В
номенклатурный номер1117334443
рабочая температура-40…+85°C
тепловое сопротивление Rth J C1.0°C/Вт
типMOSFET
тип монтажаTHT

Быстрая покупка

Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.

Получить КП+7 (910) 321-91-91

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.

  • Гарантия оригинала
  • Контроль в лаборатории СВП
  • Безналичный расчёт с НДС
  • Доставка по РФ и СНГ