N-channel MOSFET транзистор · Транзисторы
В производстве (Active)| Тип | N-channel Power MOSFET |
| V_DS (макс) | 55V — 600V |
| I_D (макс) | 10A — 100A |
| R_DS(on) | 5 мОм — 200 мОм |
| Корпус | TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) |
| V_GS (gate threshold) | 2V — 4V |
| гарантия | 12 месяцев (оригинальная упаковка) |
| категория | Транзисторы |
| корпус | TO-252 (DPAK) |
| номенклатурный номер | 1144396346 |
| применение | Промышленная электроника, B2B поставка |
| проверка подлинности | Входной контроль в лаборатории СВП |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| сертификация | RoHS, REACH (по запросу) |
| тип компонента | Электронный компонент |
| тип монтажа | THT |
IRF7N60TO-252-3 от Infineon — N-channel MOSFET транзистор с низким сопротивлением открытого канала, что минимизирует потери проводимости и тепловыделение в установившемся режиме. Применяется в батареях электромобилей (BMS), контроллерах заряда солнечных панелей, схемах управления тёплыми полами и мощными ТЭНами. Корпус TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) обеспечивает высокий ток стока в стационарном режиме. Среди преимуществ: высокая допустимая импульсная мощность, низкий заряд затвора Q_g (что снижает потери переключения и упрощает работу драйвера), стойкость к лавинному пробою. Тепловое сопротивление R_θJA оптимизировано для работы на печатной плате. Компонент поставляется в промышленной упаковке с маркировкой производителя и соответствует требованиям B2B-сегмента.
Применяется в батареях электромобилей (BMS), контроллерах заряда солнечных панелей, схемах управления тёплыми полами и мощными ТЭНами. Корпус TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) обеспечивает высокий ток стока в стационарном режиме.
Среди преимуществ: высокая допустимая импульсная мощность, низкий заряд затвора Q_g (что снижает потери переключения и упрощает работу драйвера), стойкость к лавинному пробою. Тепловое сопротивление R_θJA оптимизировано для работы на печатной плате.
Pin-to-pin совместимые аналоги доступны от нескольких производителей (Infineon, onsemi, STMicroelectronics, Vishay). При замене рекомендуется проверить соответствие R_DS(on), Q_g, и тепловых параметров.
IRF7N60TO-252-3 от Infineon можно приобрести в количествах от 1 шт. с подтверждением подлинности через маркировку и упаковку производителя. Для серийного производства возможны поставки полными катушками (full reel) с заданным числом компонентов. Оформление через сайт или по телефону. Доставка — СДЭК, Boxberry, транспортные компании.
Да, кристалл применяется в драйверах BLDC, PMSM и DC-двигателей. Поддерживает работу на частотах ШИМ до сотен кГц при соответствующем драйвере затвора.
Необходимость радиатора зависит от рассеиваемой мощности. При токах свыше нескольких ампер рекомендуется предусмотреть медный полигон на PCB или внешний радиатор.
Транзистор производится компанией Infineon. Гарантируется стабильность параметров и долгосрочная поддержка производства.
Напряжение V_DS указано в спецификациях (поле «V_DS (макс)»). Кристалл рассчитан на работу с запасом по пробою, что обеспечивает надёжность в переходных режимах.
Да, транзистор совместим с большинством стандартных драйверов затвора (TI, Analog Devices, Infineon). Проверьте совместимость по уровню напряжения управления.
Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.
Получить КП+7 (910) 321-91-91Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.