N-channel MOSFET транзистор · Транзисторы
В производстве (Active)| Тип | N-channel Power MOSFET |
| V_DS (макс) | 55V — 600V |
| I_D (макс) | 10A — 100A |
| R_DS(on) | 5 мОм — 200 мОм |
| Корпус | TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) |
| V_GS (gate threshold) | 2V — 4V |
| гарантия | 12 месяцев (оригинальная упаковка) |
| категория | Транзисторы |
| номенклатурный номер | 1193687902 |
| применение | Промышленная электроника, B2B поставка |
| проверка подлинности | Входной контроль в лаборатории СВП |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| сертификация | RoHS, REACH (по запросу) |
| тип компонента | Электронный компонент |
| тип монтажа | SMD |
IRFZ840N-7P производства Infineon — N-channel MOSFET транзистор с оптимизированными характеристиками для импульсных источников питания, драйверов двигателей и других применений с высокими требованиями к надёжности. Применяется в батареях электромобилей (BMS), контроллерах заряда солнечных панелей, схемах управления тёплыми полами и мощными ТЭНами. Корпус TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) обеспечивает высокий ток стока в стационарном режиме. Среди преимуществ: высокая допустимая импульсная мощность, низкий заряд затвора Q_g (что снижает потери переключения и упрощает работу драйвера), стойкость к лавинному пробою. Тепловое сопротивление R_θJA оптимизировано для работы на печатной плате. Компонент поставляется в промышленной упаковке с маркировкой производителя и соответствует требованиям B2B-сегмента.
Применяется в батареях электромобилей (BMS), контроллерах заряда солнечных панелей, схемах управления тёплыми полами и мощными ТЭНами. Корпус TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) обеспечивает высокий ток стока в стационарном режиме.
Среди преимуществ: высокая допустимая импульсная мощность, низкий заряд затвора Q_g (что снижает потери переключения и упрощает работу драйвера), стойкость к лавинному пробою. Тепловое сопротивление R_θJA оптимизировано для работы на печатной плате.
Для замены доступны аналоги с улучшенными параметрами (Energy Efficient серии). Рекомендуется проверить совместимость по ESD-характеристикам и диапазону напряжений затвора.
Поставка IRFZ840N-7P (Infineon) осуществляется в промышленной упаковке (T&R, паллеты) для серийных заказов и в малых упаковках для прототипирования. Все компоненты — оригинальные, с сертификатами происхождения. Доступна международная доставка через партнёрскую логистическую сеть. Сроки поставки под заказ — от 7 рабочих дней.
Тип корпуса указан в поле «Корпус». Корпус TO-220 / TO-247 / TO-252 (DPAK) обеспечивает оптимальное сочетание тепловых характеристик и удобства монтажа.
Да, кристалл применяется в драйверах BLDC, PMSM и DC-двигателей. Поддерживает работу на частотах ШИМ до сотен кГц при соответствующем драйвере затвора.
Напряжение V_DS указано в спецификациях (поле «V_DS (макс)»). Кристалл рассчитан на работу с запасом по пробою, что обеспечивает надёжность в переходных режимах.
Да, транзистор совместим с большинством стандартных драйверов затвора (TI, Analog Devices, Infineon). Проверьте совместимость по уровню напряжения управления.
Транзистор производится компанией Infineon. Гарантируется стабильность параметров и долгосрочная поддержка производства.
Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.
Получить КП+7 (910) 321-91-91Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.