характеристики, даташит, аналоги
Снят с производства (EOL)
Технические параметры
| Тип | IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) |
| Корпус | TO-220 / TO-247 |
| I_C (макс) | 10A — 100A |
| V_CE (макс) | 600V — 1200V |
| V_CE(sat) | 1.5V — 3.0V |
| диапазон рабочих частот | до 1 МГц (силовые) |
| макс Uзи Vgs | ±20 В |
| номенклатурный номер | 1182156892 |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тепловое сопротивление Rth J C | 50°C/Вт |
| тип | MOSFET |
| тип монтажа | SMD |
Похожие компоненты в категории «Транзисторы»
HGT907N60T
Infineon
MOSFET транзистор Infineon HGT907N60T
AUIRG462N120H3
Infineon
MOSFET транзистор Infineon AUIRG462N120H3
EOLMMBT5551-O8
Infineon
MOSFET транзистор Infineon MMBT5551-O8
SGDP824P40T
Infineon
MOSFET транзистор Infineon SGDP824P40T
HGT15N30T
Infineon
MOSFET транзистор Infineon HGT15N30T
BD237-E3
Infineon
MOSFET транзистор Infineon BD237-E3
EOLHGTG267TO-220
Infineon
MOSFET транзистор Infineon HGTG267TO-220
HGTG939N60T
Infineon
MOSFET транзистор Infineon HGTG939N60T
Цена и наличие
EOL / Снят с производстваЦена по запросу
Подберем доступный аналог с полноценной технической поддержкой.
Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.
Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС