ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

SGL212N40H3

SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) · Транзисторы

В производстве (Active)
SGL212N40H3 — Транзисторы

Краткая сводка о компоненте

MPN
SGL212N40H3
Описание
Силовой MOSFET транзистор Infineon. Для импульсных источников питания и мотор-драйверов.
Производитель
Infineon / Rohm
V_DS (макс)
650V — 1700V
Корпус
TO-247 / TO-263

Технические характеристики SGL212N40H3

ТипSiC MOSFET (Silicon Carbide)
V_DS (макс)650V — 1700V
I_D (макс)10A — 100A
R_DS(on)25 — 1000 мОм
ПрименениеСиловая электроника, инверторы, EV/HEV
КорпусTO-247 / TO-263
типMOSFET
макс Uзи Vgs±20 В
тип монтажаSMD
рабочая температура-40…+85°C
номенклатурный номер1138796013
диапазон рабочих частотдо 1 МГц (силовые)
тепловое сопротивление Rth J C50°C/Вт
время вкл Td On10–50 нс (тип.)
время выкл Td Off30–150 нс (тип.)
заряд затвора Qg5–30 нКл
пороговое Uзи Vgs Th2–4 В (тип.)
входная ёмкость Ciss500–3000 пФ (тип.)
обратная ёмкость Crss50–300 пФ (тип.)
Статус жизненного циклаActive

Расширенные параметры (decoded из MPN)

Технические параметры

ТипSiC MOSFET (Silicon Carbide)
V_DS (макс)650V — 1700V
I_D (макс)10A — 100A
R_DS(on)25 — 1000 мОм
КорпусTO-247 / TO-263
диапазон рабочих частотдо 1 МГц (силовые)
макс Uзи Vgs±20 В
номенклатурный номер1138796013
ПрименениеСиловая электроника, инверторы, EV/HEV
рабочая температура-40…+85°C
тепловое сопротивление Rth J C50°C/Вт
типMOSFET
тип монтажаSMD

Быстрая покупка

Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.

Получить КП+7 (910) 321-91-91

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.

  • Гарантия оригинала
  • Контроль в лаборатории СВП
  • Безналичный расчёт с НДС
  • Доставка по РФ и СНГ