SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) · Транзисторы
В производстве (Active)| Тип | SiC MOSFET (Silicon Carbide) |
| V_DS (макс) | 650V — 1700V |
| I_D (макс) | 10A — 100A |
| R_DS(on) | 25 — 1000 мОм |
| Корпус | TO-247 / TO-263 |
| диапазон рабочих частот | до 1 МГц (силовые) |
| макс Uзи Vgs | ±20 В |
| номенклатурный номер | 1138796013 |
| Применение | Силовая электроника, инверторы, EV/HEV |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тепловое сопротивление Rth J C | 50°C/Вт |
| тип | MOSFET |
| тип монтажа | SMD |
Транзистор SGL212N40H3 от Infineon / Rohm — это SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide), спроектированный для применения в ключевых узлах силовой электроники. Компонент обеспечивает высокую эффективность переключения и низкие потери проводимости. Типичные применения: импульсные источники питания (AC/DC, DC/DC), схемы управления двигателями (BLDC, PMSM, DC), инверторы для солнечной энергетики, зарядные устройства для аккумуляторов. Подходит для построения синхронных выпрямителей и полумостов с частотами коммутации до сотен кГц. Технические достоинства: оптимизированная геометрия кристалла снижает паразитные ёмкости, что упрощает работу на высоких частотах. Встроенный диод Шоттки (для некоторых моделей) устраняет потери обратного восстановления. Все компоненты проходят входной контроль качества и хранятся в условиях, соответствующих требованиям производителя.
Типичные применения: импульсные источники питания (AC/DC, DC/DC), схемы управления двигателями (BLDC, PMSM, DC), инверторы для солнечной энергетики, зарядные устройства для аккумуляторов. Подходит для построения синхронных выпрямителей и полумостов с частотами коммутации до сотен кГц.
Технические достоинства: оптимизированная геометрия кристалла снижает паразитные ёмкости, что упрощает работу на высоких частотах. Встроенный диод Шоттки (для некоторых моделей) устраняет потери обратного восстановления.
Pin-to-pin совместимые аналоги доступны от нескольких производителей (Infineon, onsemi, STMicroelectronics, Vishay). При замене рекомендуется проверить соответствие R_DS(on), Q_g, и тепловых параметров.
SGL212N40H3 от Infineon / Rohm можно приобрести в количествах от 1 шт. с подтверждением подлинности через маркировку и упаковку производителя. Для серийного производства возможны поставки полными катушками (full reel) с заданным числом компонентов. Оформление через сайт или по телефону. Доставка — СДЭК, Boxberry, транспортные компании.
Да, транзистор совместим с большинством стандартных драйверов затвора (TI, Analog Devices, Infineon). Проверьте совместимость по уровню напряжения управления.
Тип корпуса указан в поле «Корпус». Корпус SMD обеспечивает оптимальное сочетание тепловых характеристик и удобства монтажа.
Необходимость радиатора зависит от рассеиваемой мощности. При токах свыше нескольких ампер рекомендуется предусмотреть медный полигон на PCB или внешний радиатор.
Ток I_D указан в спецификациях (поле «I_D»). Для длительной работы рекомендуется закладывать коэффициент запаса 0.6-0.7 от максимально допустимого значения.
Сопротивление открытого канала указано в спецификациях (поле «R_DS(on)»). Низкое значение R_DS(on) снижает потери проводимости и тепловыделение.
Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.
Получить КП+7 (910) 321-91-91Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.