характеристики, даташит, аналоги
В производстве
Технические параметры
| Тип | SiC MOSFET (Silicon Carbide) |
| V_DS (макс) | 650V — 1700V |
| I_D (макс) | 10A — 100A |
| R_DS(on) | 25 — 1000 мОм |
| Корпус | TO-247 / TO-263 |
| диапазон рабочих частот | до 1 МГц (силовые) |
| макс Uзи Vgs | ±20 В |
| номенклатурный номер | 1116383567 |
| Применение | Силовая электроника, инверторы, EV/HEV |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тепловое сопротивление Rth J C | 50°C/Вт |
| тип | MOSFET |
| тип монтажа | SMD |
Похожие компоненты в категории «Транзисторы»
SIR7N60TO-247
Silicon Labs
SIR7N60TO-247 — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) ()
SGL471N40H3
Infineon / Rohm
SGL471N40H3 — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) (Infineon / Rohm)
SIR8N60PQFN
Silicon Labs
SIR8N60PQFN — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) ()
SIR840ND2PAK
Silicon Labs
SIR840ND2PAK — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) ()
EOLSIR150NLFPAK
Silicon Labs
SIR150NLFPAK — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) ()
SGL935TO-247
Infineon / Rohm
SGL935TO-247 — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) (Infineon / Rohm)
SGL688N30T
Infineon / Rohm
SGL688N30T — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) (Infineon / Rohm)
EOLSGL451C40T
Infineon / Rohm
SGL451C40T — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) (Infineon / Rohm)
EOLЦена и наличие
В производствеЦена по запросу
Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.
Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.
Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС