ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ
Главная/Каталог/Транзисторы/SGL831N60T
SGL831N60T — Транзисторы

характеристики, даташит, аналоги

В производстве

Технические параметры

ТипSiC MOSFET (Silicon Carbide)
V_DS (макс)650V — 1700V
I_D (макс)10A — 100A
R_DS(on)25 — 1000 мОм
КорпусTO-247 / TO-263
I D (макс)10A — 100A
R DS(On)25 — 1000 мОм
V DS (макс)650V — 1700V
гарантия12 месяцев (оригинальная упаковка)
категорияПрочие компоненты
номенклатурный номер9956363471
применениеПромышленная электроника, B2B поставка
ПрименениеСиловая электроника, инверторы, EV/HEV
проверка подлинностиВходной контроль в лаборатории СВП
сертификацияRoHS, REACH (по запросу)
тип компонентаЭлектронный компонент

Аналоги и замены для SGL831N60T

В случае недоступности, рекомендуем следующие кросс-референсы:

CH340T-P7CH340TTIP127-P0

Похожие компоненты в категории «Транзисторы»

SIR7N60TO-247
Silicon Labs
SIR7N60TO-247 — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) ()
SGL471N40H3
Infineon / Rohm
SGL471N40H3 — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) (Infineon / Rohm)
SIR8N60PQFN
Silicon Labs
SIR8N60PQFN — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) ()
SIR840ND2PAK
Silicon Labs
SIR840ND2PAK — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) ()
EOL
SIR150NLFPAK
Silicon Labs
SIR150NLFPAK — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) ()
SGL935TO-247
Infineon / Rohm
SGL935TO-247 — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) (Infineon / Rohm)
SGL688N30T
Infineon / Rohm
SGL688N30T — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) (Infineon / Rohm)
EOL
SGL451C40T
Infineon / Rohm
SGL451C40T — SiC MOSFET транзистор (Silicon Carbide) (Infineon / Rohm)
EOL

Цена и наличие

В производстве

Цена по запросу

Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.

Запросить КП+7 (910) 321-91-91

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.

Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС