MOSFET/IGBT транзистор (high voltage) · Транзисторы
В производстве (Active)| Тип | High-Voltage MOSFET / IGBT |
| V_DS (макс) | 600V — 1200V |
| I_D (макс) | 10A — 50A |
| R_DS(on) | 0.1 — 1.0 Ω |
| Корпус | TO-220 / TO-247 / IPAK |
| гарантия | 12 месяцев (оригинальная упаковка) |
| категория | Транзисторы |
| номенклатурный номер | 1127653342 |
| применение | Промышленная электроника, B2B поставка |
| проверка подлинности | Входной контроль в лаборатории СВП |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| сертификация | RoHS, REACH (по запросу) |
| тип компонента | Электронный компонент |
| тип монтажа | SMD |
Транзистор STGIP911C40T от STMicroelectronics — это MOSFET/IGBT транзистор (high voltage), спроектированный для применения в ключевых узлах силовой электроники. Компонент обеспечивает высокую эффективность переключения и низкие потери проводимости. Рекомендуемые сферы: телекоммуникационное оборудование (DPA, RPA), источники бесперебойного питания (UPS), серверные блоки питания с резервированием. Подходит для построения мощных DC-DC преобразователей с КПД выше 95%. Среди преимуществ: высокая допустимая импульсная мощность, низкий заряд затвора Q_g (что снижает потери переключения и упрощает работу драйвера), стойкость к лавинному пробою. Тепловое сопротивление R_θJA оптимизировано для работы на печатной плате. Оформить заказ можно через сайт или по запросу у менеджера. Для серийных проектов доступны индивидуальные условия.
Рекомендуемые сферы: телекоммуникационное оборудование (DPA, RPA), источники бесперебойного питания (UPS), серверные блоки питания с резервированием. Подходит для построения мощных DC-DC преобразователей с КПД выше 95%.
Среди преимуществ: высокая допустимая импульсная мощность, низкий заряд затвора Q_g (что снижает потери переключения и упрощает работу драйвера), стойкость к лавинному пробою. Тепловое сопротивление R_θJA оптимизировано для работы на печатной плате.
Для замены доступны аналоги с улучшенными параметрами (Energy Efficient серии). Рекомендуется проверить совместимость по ESD-характеристикам и диапазону напряжений затвора.
Компонент STGIP911C40T от STMicroelectronics доступен для заказа в любых количествах. Для оптовых покупателей действует гибкая система скидок и индивидуальное ценообразование. Компоненты хранятся на складе в контролируемых условиях (температура, влажность). Гарантия возврата при несоответствии спецификациям.
Да, кристалл применяется в драйверах BLDC, PMSM и DC-двигателей. Поддерживает работу на частотах ШИМ до сотен кГц при соответствующем драйвере затвора.
Сопротивление открытого канала указано в спецификациях (поле «R_DS(on)»). Низкое значение R_DS(on) снижает потери проводимости и тепловыделение.
Необходимость радиатора зависит от рассеиваемой мощности. При токах свыше нескольких ампер рекомендуется предусмотреть медный полигон на PCB или внешний радиатор.
Да, транзистор совместим с большинством стандартных драйверов затвора (TI, Analog Devices, Infineon). Проверьте совместимость по уровню напряжения управления.
Ток I_D указан в спецификациях (поле «I_D»). Для длительной работы рекомендуется закладывать коэффициент запаса 0.6-0.7 от максимально допустимого значения.
Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.
Получить КП+7 (910) 321-91-91Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.