характеристики, даташит, аналоги
В производстве
Технические параметры
| Тип | High-Voltage MOSFET / IGBT |
| V_DS (макс) | 600V — 1200V |
| I_D (макс) | 10A — 50A |
| R_DS(on) | 0.1 — 1.0 Ω |
| Корпус | TO-220 / TO-247 / IPAK |
| диапазон рабочих частот | до 1 МГц (силовые) |
| макс Uзи Vgs | ±20 В |
| номенклатурный номер | 1134410443 |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тепловое сопротивление Rth J C | 50°C/Вт |
| тип | MOSFET |
| тип монтажа | SMD |
Похожие компоненты в категории «Транзисторы»
IKD190N40T
STMicroelectronics
Транзистор ST IKD190N40T
SGDP896TO-247
STMicroelectronics
Транзистор ST SGDP896TO-247
BC847B-E5
STMicroelectronics
Транзистор ST BC847B-E5
IGT482N40T
STMicroelectronics
Транзистор ST IGT482N40T
STGIP223C60T
STMicroelectronics
Транзистор ST STGIP223C60T
BSS138-V1
STMicroelectronics
Транзистор ST BSS138-V1
IRL1010ETR
Infineon
Транзистор ST IRL1010ETR
IPD10N60G
STMicroelectronics
Транзистор ST IPD10N60G
Цена и наличие
В производствеЦена по запросу
Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.
Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.
Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС