ChipNet
ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

STGW758C60T

MOSFET/IGBT транзистор (high voltage) · Транзисторы

В производстве (Active)
STGW758C60T — Транзисторы

Краткая сводка о компоненте

MPN
STGW758C60T
Описание
Силовой MOSFET транзистор Infineon. Для импульсных источников питания и мотор-драйверов.
Производитель
STMicroelectronics
V_DS (макс)
600V — 1200V
Корпус
TO-220 / TO-247 / IPAK

Технические характеристики STGW758C60T

ТипHigh-Voltage MOSFET / IGBT
V_DS (макс)600V — 1200V
I_D (макс)10A — 50A
R_DS(on)0.1 — 1.0 Ω
КорпусTO-220 / TO-247 / IPAK
типMOSFET
макс Uзи Vgs±20 В
тип монтажаSMD
рабочая температура-40…+85°C
номенклатурный номер1168712747
диапазон рабочих частотдо 1 МГц (силовые)
тепловое сопротивление Rth J C50°C/Вт
время вкл Td On10–50 нс (тип.)
время выкл Td Off30–150 нс (тип.)
заряд затвора Qg5–30 нКл
пороговое Uзи Vgs Th2–4 В (тип.)
входная ёмкость Ciss500–3000 пФ (тип.)
обратная ёмкость Crss50–300 пФ (тип.)
Статус жизненного циклаActive

Расширенные параметры (decoded из MPN)

Технические параметры

ТипHigh-Voltage MOSFET / IGBT
V_DS (макс)600V — 1200V
I_D (макс)10A — 50A
R_DS(on)0.1 — 1.0 Ω
КорпусTO-220 / TO-247 / IPAK
диапазон рабочих частотдо 1 МГц (силовые)
макс Uзи Vgs±20 В
номенклатурный номер1168712747
рабочая температура-40…+85°C
тепловое сопротивление Rth J C50°C/Вт
типMOSFET
тип монтажаSMD

Быстрая покупка

Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.

Получить КП+7 (910) 321-91-91

Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.

  • Гарантия оригинала
  • Контроль в лаборатории СВП
  • Безналичный расчёт с НДС
  • Доставка по РФ и СНГ