MOSFET/IGBT транзистор (high voltage) · Транзисторы
В производстве (Active)| Тип | High-Voltage MOSFET / IGBT |
| V_DS (макс) | 600V — 1200V |
| I_D (макс) | 10A — 50A |
| R_DS(on) | 0.1 — 1.0 Ω |
| Корпус | TO-220 / TO-247 / IPAK |
| диапазон рабочих частот | до 1 МГц (силовые) |
| макс Uзи Vgs | ±20 В |
| номенклатурный номер | 1168712747 |
| рабочая температура | -40…+85°C |
| тепловое сопротивление Rth J C | 50°C/Вт |
| тип | MOSFET |
| тип монтажа | SMD |
STGW758C60T от STMicroelectronics — MOSFET/IGBT транзистор (high voltage) с низким сопротивлением открытого канала, что минимизирует потери проводимости и тепловыделение в установившемся режиме. Области применения: схемы защиты (eFuse, hot-swap), активные ограничители тока, мягкий старт (soft-start) мощных нагрузок, релейные замены в схемах коммутации постоянного тока. Кристалл хорошо работает в режиме линейного стабилизатора при низких токах. Отличительные черты: интегрированный температурный компенсатор порога (у некоторых моделей), низкое тепловое сопротивление кристалл-корпус, поддержка быстрого переключения (dv/dt). Кристалл устойчив к повторяющимся коротким замыканиям. Компонент поставляется в промышленной упаковке с маркировкой производителя и соответствует требованиям B2B-сегмента.
Области применения: схемы защиты (eFuse, hot-swap), активные ограничители тока, мягкий старт (soft-start) мощных нагрузок, релейные замены в схемах коммутации постоянного тока. Кристалл хорошо работает в режиме линейного стабилизатора при низких токах.
Отличительные черты: интегрированный температурный компенсатор порога (у некоторых моделей), низкое тепловое сопротивление кристалл-корпус, поддержка быстрого переключения (dv/dt). Кристалл устойчив к повторяющимся коротким замыканиям.
При кросс-производственной замене (cross-vendor) рекомендуется проверить SOA (Safe Operating Area) и тепловые характеристики. Корпус SMD стандартизирован, поэтому механические посадочные места сохраняются.
Компонент STGW758C60T от STMicroelectronics поставляется с сертификатом соответствия и маркировкой производителя. Для серийных заказов доступна упаковка в тапе-анд-рил (T&R) с заданным шагом. Минимальный заказ — от 1 шт. Срок поставки под заказ — от 5 рабочих дней. Возможна отгрузка со склада в Москве при наличии.
Необходимость радиатора зависит от рассеиваемой мощности. При токах свыше нескольких ампер рекомендуется предусмотреть медный полигон на PCB или внешний радиатор.
Напряжение V_DS указано в спецификациях (поле «V_DS (макс)»). Кристалл рассчитан на работу с запасом по пробою, что обеспечивает надёжность в переходных режимах.
Транзистор производится компанией STMicroelectronics. Гарантируется стабильность параметров и долгосрочная поддержка производства.
Ток I_D указан в спецификациях (поле «I_D»). Для длительной работы рекомендуется закладывать коэффициент запаса 0.6-0.7 от максимально допустимого значения.
Сопротивление открытого канала указано в спецификациях (поле «R_DS(on)»). Низкое значение R_DS(on) снижает потери проводимости и тепловыделение.
Позиция под заказ, отправьте запрос с указанием количества — менеджер ответит в течение 30 минут.
Получить КП+7 (910) 321-91-91Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Поставка под заказ 5–30 дней.