характеристики, даташит, аналоги
В производстве
Технические параметры
| Hfe | 10…50 |
| корпус | TO-220 |
| макс Uкэ | 100 В |
| макс ток коллектора | 3 А |
| мощность рассеяния | 40 Вт |
| тип | BJT PNP (силовой) |
| тип монтажа | THT |
Похожие компоненты в категории «Транзисторы»
BDW47C-R5
Diodes Inc
Транзистор Diodes BDW47C-R5
FQA11N60TO-220
Diodes Inc
Транзистор Diodes FQA11N60TO-220
SGDP200P40T
Diodes Inc
Транзистор Diodes SGDP200P40T
IRF12N60TO-252
Infineon
Транзистор Diodes IRF12N60TO-252
STGIP578N40H3
Diodes Inc
Транзистор Diodes STGIP578N40H3
SGL843TO-247
Diodes Inc
Транзистор Diodes SGL843TO-247
STGIP30N60T
Diodes Inc
Транзистор Diodes STGIP30N60T
IRG683N120H3
Infineon
Транзистор Diodes IRG683N120H3
Цена и наличие
В производствеЦена по запросу
Цена зависит от объёма и сроков. Отгрузка от 1 шт., безналичный расчёт с НДС.
Ответ менеджера в течение 30 минут в рабочее время. Возможна поставка под заказ 5-30 дней.
Гарантия оригинала
Контроль в лаборатории СВП
Безналичный расчёт с НДС